|сгенерировать QR код
Открытый доступ
Только для подписчиков
Исследование влияния теплового режима на интенсивность излучения полупроводниковых источников света
https://doi.org/10.17586/0021-3454-2025-68-4-328-332
Аннотация
Представлена методика исследования зависимости параметров излучения светодиодных систем от температуры. Приведена конструкция разработанного экспериментального стенда. Выполнены измерения интенсивности излучения светодиодов при различных значениях температуры.
Об авторах
В. А. Кораблев
Университет ИТМО
Россия
Россия
Владимир Антонович Кораблев — канд. техн. наук, доцент; образовательный центр „Энергоэффективные инженерные системы“; ст. науч. сотр.
Санкт-Петербург
Д. А. Минкин
Санкт-Петербургский университет Государственной противопожарной службы Министерства Российской Федерации по делам гражданской обороны, чрезвычайным ситуациям и ликвидации последствий стихийных бедствий им. Героя Российской Федерации генерала армии Е. Н. Зиничева
Россия
Россия
Дмитрий Алексеевич Минкин — канд. техн. наук, доцент; кафедра физико-технических основ обеспечения
Санкт-Петербург
Список литературы
1. Мукхерджи А., Сони А., Розовский Е. И. О влиянии повышения температуры окружающей среды на срок службы светодиодов // Светотехника. 2016. № 1. С. 31–34. EDN VOSQEV.
2. Смирнов С. В., Саврук Е. В., Гончарова Ю. С. Температурная зависимость спектров излучения светодиодов белого свечения на основе нитрида галлия и его твердых растворов // Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. 2011. № 2-2(24). С. 55–58. EDN OUWBKH.
3. [Электронный ресурс]: https://russianelectronics.ru/srok-sluzhby-svetodiodnyh-svetilnikov-rekomendaczii-potestirovaniyu/
4. Годовицын И. В. Срок службы сверх ярких светодиодов. Причины отказов [Электронный ресурс]: http://www.ledsvet.ru
5. Беринцев А. В., Новиков С. Г. Исследование InGaN и AlGaInP светодиодов при малых токах и высоких температурах // Радиоэлектронная техника. 2012. № 1(5). С. 59–65. EDN UEAFOV.
6. Ефремов А. А., Бочкарева Н. И., Горбунов Р. И. и др. Влияние джоулева разогрева на квантовую эффективность и выбор теплового режима мощных голубых InGaN/GaN светодиодов // Физика и техника полупроводников. 2006. Т. 40, № 5. С. 621–627. EDN RCZKWX.
7. Ашрятов А. А., Микаева С. А., Мышонков А. Б. Измерение температуры кристалла маломощного светодиода // Приборы. 2010. № 5(119). С. 56–61. EDN MEHHXB.
8. Грушко Н. С., Хайрулина А. С. Оптические характеристики белых светодиодов InGaN/AlGaN/GaN: световая эффективность, КПД, координаты цветности // Естественные и технические науки. 2008. № 6(38). С. 45–49. EDN JXQPWT.
9. Дульнев Г. Н. Теория тепло- и массообмена. СПб: НИУ ИТМО, 2012. 195 с.
10. Клейменов Е. П., Кузнецов М. М., Беляев В. В., Нессемон К. Д. Расчет отвода тепла от основания светодиодного светильника при свободно конвективном теплообмене // Вестник Московского энергетического института. 2018. № 1. С. 86–90. DOI 10.24160/1993-6982-2018-1-86-90. EDN YOJILV.
11. Герасимов Д. Н., Моргунова С. М. Теплообмен излучением: учебник для вузов. СПб: Лань, 2023. 156 с.
12. Колпаков А. Возвращаемся к термопасте // Силовая электроника. 2015. Т. 3, № 54. С. 90–95.
13. Герасютенко В. В., Кораблев В. А., Шарков А. В., Минкин Д. А. Исследование методов интенсификации контактного теплообмена между элементами электронной аппаратуры // Современные методы и средства исследований теплофизических свойств веществ: Сб. тр. V Междунар. науч.-техн. конф. Санкт-Петербург, 23–24 мая 2019 года. СПб: Университет ИТМО, 2019. С. 185–197. EDN HSTEBP.
14. Байнева И., Байнев В. Программная модель для оценки эффективности и надежности светодиодных источников света и приборов // Полупроводниковая светотехника. 2011. № 3. С. 40–42.
Рецензия
Для цитирования:
Кораблев В.А., Минкин Д.А. Исследование влияния теплового режима на интенсивность излучения полупроводниковых источников света. Известия высших учебных заведений. Приборостроение. 2025;68(4):328-332. https://doi.org/10.17586/0021-3454-2025-68-4-328-332
For citation:
Korablev V.A., Minkin D.A. Study of the Influence of Thermal Condition on the Radiation Intensity of Semiconductor Light Sources. Journal of Instrument Engineering. 2025;68(4):328-332. (In Russ.) https://doi.org/10.17586/0021-3454-2025-68-4-328-332
Просмотров:
17
Послать статью по эл. почте 